2025-12-24
NVIDIA、苹果争抢台积电产能 分别卡位A16、A14制程 作者： 时间：2025-12-01 来源：DigiTimes 
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AI需求强劲，台积电持续拉升先进制程产能规模。
因应NVIDIA等客户长期需求，不仅南科晶圆厂全力再增加3纳米产能外，南科特区也规划再新建3座2纳米厂，预期在未来3年资本支出上调带动下，厂务工程、设备与材料等供应链普天同乐。
据悉，目前A16制程唯一客户是NVIDIA，高雄P3厂2027年量产，因应NVIDIA产品蓝图。 以此推估，苹果（Apple）进入2纳米世代后，下代制程跳过A16、直上A14。
供应链透露，3纳米产能的扩增，系因应NVIDIA产品进入3纳米世代的大单。 增建3座2纳米晶圆厂，则是调整竹科宝山F20、高雄F22、台中F25及美国厂F21的制程与产能规划。
从台积电上调资本支出、加速制程推进、产能扩增计划等显见，台积电近期3纳米以下先进制程布局蓝图，已迅速因应客户需求重新调整。
南科晶圆厂方面，以N4/N5为主的F18A厂，P1/P2/P3/P7等合计月产能为16万片，F15厂则也加入生产行列，而建置中F18A P9厂则放缓建置，待处理Pending货量将转至美国亚利桑厂生产。
以N3B及N3E制程为主的F18B厂，P4/P5/P6及P8厂合计月产能由13万片调至16万片。
值得注意的是，台积近期初步规划在邻近南科、仍处于土地征收期的特定区，再建3座2纳米晶圆厂，因应产能调配，也同步调整竹科宝山F20、高雄F22与台中F25的2纳米以下制程与产能规划。
据了解，新竹宝山F20厂，P1、P2以2纳米为主，各厂月产能约2万~2.5万片，P3厂预计2026年中完工，制程调整为2纳米与A14制程为主，P4厂则仍在评估中。
高雄F22厂P1、P2以2纳米为主，各厂月产能也以2万~2.5万片为目标。 其中，P1厂至年底月产能约1万片上下，P2厂则于2025年8月已开始进行机台Move-in; P3~P6也同步调整计划，其中，P3厂预计2026年第2季进行机台Move-in，将以A16制程为主，也就是高雄厂只有P1、P2为2纳米，其他4座厂都将是2纳米以下。
亚利桑那F21厂方面，P1量产中，为N4制程、月产能2万~2.5万片，P2则是已调整为A厂为N3，预计2027年开始量产，B厂则改为N2，P3厂已于2025年4月开始建置，预计最慢2029年量产，P4厂预计2026年中开始建置，2厂皆为N2与A16制程。
而台中F25厂，P1厂预计2027年第1季进行机台Move-in，2028年量产，P2厂则将是最先进的A12制程，P3与P4厂仍在评估中。
业者表示，新竹宝山、高雄、亚利桑那及新增的南科特区，按量产时程估算，至2025年底2纳米月产能共计约4.5万~5万片，2026年月产能超过10万片，再加计提前量产的美国AZ厂P2B厂，2028年底约可达18万片，2029年加入南科特区及AZ P3厂，则将达20万片以上。
值得注意的是，台积A16制程生产据点除高雄外，亚利桑那P3、P4厂也将是生产重镇，其结合纳米片晶体管及超级电轨（Super Power Rail; SPR）解决方案以大幅提升逻辑密度及效能。 SPR将供电线路移到晶圆背面，以在晶圆正面释放出更多讯号线路布局空间，来提升逻辑密度和效能。
SPR也能大幅度降低压降（IR Drop），进而提升供电效率，相较于N2P制程，A16在相同工作电压下，速度增快8~10%，在相同速度下，功耗降低15~20%，芯片密度提升高达1.1倍，特别适用于具有复杂讯号线路和高密度供电线路的高效运算（HPC）产品。
台积电先前预期亚利桑那州的6座晶圆厂建置完成后，将占整体2纳米以下总产能的30%，但因为AI需求来得又急又快，以及建置与营运成本、政治因素等诸多考量下，台湾新竹、台中、台南与高雄厂加速扩建中。
按整体产能估算，台积电若欲实现美国厂占2纳米以下总产能30%，势必将持续再扩大美国厂规模，资本支出未来5年将维持高档。
台积电2025年资本支出约达400亿~420亿美元，先前已重申：「据现有客户需求，未来几年资本支出不会有大幅度下降，AI需求现阶段仍相当强劲。」
近期供应链已传出，台积电2026年资本支出将大增至480亿~500亿美元。
对于市场传言、单一客户、特定厂商状况等，台积电发言体系向来不公开评论。
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