2025-12-22
Melexis正在制造全硅RC缓冲器,用于集成在碳化硅动力模块中。

目前正在向潜在客户采样,所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体,并以裸芯片形式交付,准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。

该硅吸收器设计用于直流链路,最高可达1000伏直流,峰值可达1200伏,击穿额定值将超过1500伏。
据公司介绍,它们“在电压超过150伏时保持恒定电容,并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合,比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”
具体生产哪些变种尚未确定。

尺寸限制为:直径1.5至5毫米(顶部图中的X和Y),厚度可达640微米(Z)。电容范围可从200pF到5.8nF,电阻范围为1Ω至35Ω。工作目标温度为-40至+150°C环境,峰值温度为175°C。
除了作为直流链路的缓冲器外,还设想与MOSFET并联实现输出缓冲。
Melexis表示:“SiC器件在高速切换和高电压下工作,天生容易受到电压瞬变、高频振荡和寄生效应的影响。”“集成RC缓冲器可以减轻这些影响,Melexis的早期测量显示,RC缓冲器可将开关损耗降低多达50%。”——这个50%的数字是从无缓冲器的91mJ到使用硅缓冲器的39mJ。
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